반도체 용어

1. D램(Dynamic Random Access Memory)

데이터 임시 기억 장치로서 전원이 꺼지면 데이터가 사라지는 휘발성 메모리.

구조가 간단하고 동작속도가 빠름.

10나노급 D램칩 하나에는 80억개의 셀로 구성.

 

2. 메모리셀(Memory Cell)
메모리의 가장 최소단위로, 1비트(bit)의 데이터를 기억할 수 있는 공간.

1개의 메모리셀에는 1개의 트랜지스터와 1개의 캐피시터로 구성

 

3. 트랜지스터(Transistor)

세개 이상의 단자를 가진 반도체 소자.

캐피시터에 전하를 채워주는 스위치 역할을 함.

 

4. 캐패시터(Capacitor)
전하를 일시적으로 저장하는 장치.

캐패시터의 전하 유무에 따라 0과 1의 신호를 나타냄.

 

5. 나노공정

1나노미터(nm)는 10억 분의 1로 머리카락 두께의 1/50,000에 해당하는 크기.

10나노급 반도체는 회로선폭이 10나노미터(nm)대인 반도체.

 

출처 : https://news.skhynix.co.kr/1819?category=1067703

 

디램(DRAM)과 낸드플래시(NAND Flash)의 차이

https://news.skhynix.co.kr/1938?category=1067703